Přejít k obsahu


On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon

Citace: [] MÜLLEROVÁ, J., VAVRUŇKOVÁ, V., ŠUTTA, P. On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon. Advances in Electrical and Electronic Engineering, 2008, roč. 7, č. 1-2, s. 369-372. ISSN: 1336-1376
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon
Rok vydání: 2008
Autoři: Jarmila Müllerová , Veronika Vavruňková , Pavol Šutta
Abstrakt CZ: Byly vyšetřovány tenké vrstvy hydrogenizovaného amorfního křemíku (a-Si:H) deponované PECVD technologií s rostoucím zředěním plasmy silanu vodíkem. Bylo zjištěno, že s rostoucím přídavkem vodíku během depozice klesá počet vazeb mezi křemíkem a vodíkem. Optická šířka zakázaného pásu určená z UV-VIS transmitančních a reflektančních spekter je rostoucí funkcí zředění. Usuzuje se, že rostoucí optická šířka zakázaného pásu je způsobená klesají velikostí nanokrystalů křemíku. Byla vypočítaná velikost krystalitů 2-4 nm, která poukazuje na uspořádání na střední vzdálenost v a-Si:H.
Abstrakt EN: We investigated thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) deposited by PECVD under increasing dilutions of silane plasma by hydrogen. We found out that under increasing additional hydrogen at the depositions, thin films obtain less hydrogen bonded to silicon. The optical band gap energies determined from UV Vis transmittance and reflectance spectra were found to be increasing function of the dilution. We deduce that optical band gaps expanse due to the decreasing dimensions of silicon nanocrystals. They were calculated to be of 2 – 4 nm which proves the medium-range order in a-Si:H.
Klíčová slova

Zpět

Patička