Přejít k obsahu


ZnO:Al films prepared by rf magnetron sputtering applied as back reflectors in thin-film silicon solar cells

Citace: [] DAGAMSEH, A., VET, B., TICHELAAR, F., ŠUTTA, P., ZEMAN, M. ZnO:Al films prepared by rf magnetron sputtering applied as back reflectors in thin-film silicon solar cells. Thin Solid Films, 2008, roč. 516, č. 21, s. 7844-7850. ISSN: 0040-6090
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: ZnO:Al films prepared by rf magnetron sputtering applied as back reflectors in thin-film silicon solar cells
Rok vydání: 2008
Autoři: A.M.K. Dagamseh , B. Vet , Frans D. Tichelaar , Pavol Šutta , Miro Zeman
Abstrakt CZ: Teplota substrátu výrazně ovlivňuje velikost krystalitů, méně zřetelný je vliv vysokofrekvenčního výkonu a tlaku na velikost krystalitů. Největší velikost krystalitů 300 nm byla stanovena ve vrstvách deponovaných v rozmezí 75°C až 100°C. Zvyšující se teplota substrátu zvyšuje účinnost dopování ve vrstvách, což vede ke snížení rezistivity a rozšíření optické šířky zakázaného pásu. Použitím optimálních podmínek naprašování (75oC až 100oC, 1 μbar a 800 W) pro depozici ZnO:Al jako zadního reflektoru v a-Si:H solárních článcích vyústila v S křivku, V-A charakteristiku a nízký faktor plnění. Pomocí zvýšeného tlaku 25 μbar v průběhu naprašování ZnO:Al bylo dosaženo relativního nárůstu účinnosti o 10% v porovnání s článkem bez ZnO:Al. Hlavním výsledkem je zvýšení proudu nakrátko na ~ 1.3 mA/cm2.
Abstrakt EN: The substrate temperature significantly affects the crystallite size, the effect of the rf. power and pressure on the crystallite size is less pronounced. The largest crystallite size of 300 nm was determined in films deposited in the range of 75 °C to 100 °C. The increasing substrate temperature enhances the doping efficiency resulting in films with a lower resistivity and wider optical gap. The use of the optimal sputtering conditions (75 oC to 100 oC, 1 ?bar and 800 W) for depositing ZnO:Al back reflector in a-Si:H solar cells resulted in an S-shaped J-V curve and a low fill factor. By using an increased pressure of 25 μbar during sputtering of the ZnO:Al a relative increase of 10 % in the efficiency was achieved in comparison to the cell without the ZnO:Al. The improvement resulted mainly from an enhancement of ~ 1.3 mA/cm2 in the short circuit current.
Klíčová slova

Zpět

Patička