Přejít k obsahu


Sputtered transparent conductive ZnO:Al thin films for solar cells

Citace: [] FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L., VAVRUŇKOVÁ, V., PULLMANNOVÁ, A., VAVRINSKÝ, E., GAŠPIERIK, P., BALLO, P., NOVOTNÝ, I., ŠUTTA, P., TVAROŽEK, V. Sputtered transparent conductive ZnO:Al thin films for solar cells. Rožnov pod Radhoštěm, 2008., ISBN: 978-80-254-3528-1,
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Sputtered transparent conductive ZnO:Al thin films for solar cells
Rok vydání: 2008
Místo konání: Rožnov pod Radhoštěm
Autoři: Soňa Flickyngerová , Marie Netrvalová , Lucie Prušáková , Veronika Vavruňková , Andrea Pullmannová , Erik Vavrinský , Pavol Gašpierik , Peter Ballo , Ivan Novotný , Pavol Šutta , Vladimír Tvarožek
Abstrakt CZ: Prováděli jsme vyšetřování závislostí mezi technologickými a strukturními/elektrickými/optickými vlastnostmi hliníkem dopovaných vrstev ZnO (ZnO:Al). Pomocí prvních principů pseudopotenciálních metod bylo simulováno chování hliníku jako substituentu v mřížce ZnO. Požadované vlastnostmi tenkých vrstev pro fotovoltaické aplikace jsou (vysoké číslo výhodnosti F=T/Rs, nízký plošný odpor Rs a vysoká propustnost T) byly získány z vysoce orientovaných vstev připravených při vysokofrekvenčním výkonu 800W,teplotě substrátu 200°C a žíhání ve formovacím plynu při 400°C.
Abstrakt EN: An investigation of correlations among the technological parameters and structural/electrical/optical properties of aluminium-doped ZnO:Al thin films has been done. The behavior of Al3+ substituents in the ZnO lattice were simulated using first principles pseudopotential method. Desired properties of ZnO:Al thin films for solar cell application - the high figure of merit F=T/Rs, low sheer resistance Rs and the highest transmittance T were obtained in highly oriented (002) films prepared at RF power of 800 W, substrate temperature of 200°C and annealing in the forming gas at 400°C.
Klíčová slova

Zpět

Patička